3.3印制電路板 printed circuit board（PCB）

在絕緣基材上，按預(yù)定設(shè)計(jì)形成印制元件、印制線路或兩者結(jié)合的導(dǎo)電圖形的印制電路或印制線路成品板。包括剛性板與撓性板，單面印制電路板、雙面印制電路板、多層印制電路板，以及剛撓結(jié)合印制電路板和高密度互連印制電路板等。

3.4半導(dǎo)體器件 semiconductor device

利用半導(dǎo)體材料的特殊電特性制造，以實(shí)現(xiàn)特定功能的電子器件。包括分立器件和集成電路兩大類產(chǎn)品。

3.5光電子器件 photoelectron component

利用半導(dǎo)體光-電子（或電-光子）轉(zhuǎn)換效應(yīng)制成的各種功能器件。包括發(fā)光二極管（LED）；半導(dǎo)體光電器件中的光電轉(zhuǎn)換器、光電探測器等；激光器件中的氣體激光器件、半導(dǎo)體激光器件、固體激光器件、靜電感應(yīng)器件等；光通信電路及其他器件；半導(dǎo)體照明器件等。

3.6顯示器件 display device

基于電子手段呈現(xiàn)信息供視覺感受的器件。包括薄膜晶體管液晶顯示器件（TN/STN-LCD、TFT-LCD）、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件（LTPS-TFT-LCD）、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件（OLED）、真空熒光顯示器件（VFD）、場發(fā)射顯示器件（FED）、等離子顯示器件（PDP）、曲面顯示器件以及柔性顯示器件等。

3.7電子終端產(chǎn)品 electron terminals products

以采用印制電路板（PCB）組裝工藝技術(shù)為基礎(chǔ)裝配的具有獨(dú)立應(yīng)用功能的電子產(chǎn)品或組件。包括計(jì)算機(jī)以及其他電子設(shè)備。

3.8揮發(fā)性有機(jī)物 volatile organic compounds（VOCs）

參與大氣光化學(xué)反應(yīng)的有機(jī)化合物，或者根據(jù)有關(guān)規(guī)定確定的有機(jī)化合物。

本標(biāo)準(zhǔn)采用非甲烷總烴（以NMHC表示）作為揮發(fā)性有機(jī)物綜合控制項(xiàng)目。

3.9非甲烷總烴 non-methane hydrocarbons（NMHC）

采用規(guī)定的監(jiān)測方法，氫火焰離子化檢測器有響應(yīng)的除甲烷外的氣態(tài)有機(jī)化合物的總和，以碳的質(zhì)量濃度計(jì)。

3.10企業(yè)邊界 enterprise boundary

電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設(shè)施的法定邊界。若難以確定法定邊界，則指企業(yè)或生產(chǎn)設(shè)施的實(shí)際占地邊界。

3.11VOCs物料 VOCs-containing materials

VOCs質(zhì)量占比大于等于10%的原輔材料、產(chǎn)品和廢料（渣、液），以及有機(jī)聚合物原輔材料和廢料（渣、液）。

3.12密閉排氣系統(tǒng) closed vent system

將工藝設(shè)備或車間排出或逸散出的大氣污染物，捕集并輸送至污染控制設(shè)備或排放管道，使輸送的氣體不直接與大氣接觸的系統(tǒng)。

3.13VOCs治理設(shè)施 treatment facility for VOCs

處理VOCs的吸收裝置、吸附裝置、冷凝裝置、燃燒裝置、生物處理設(shè)施或其它有效的污染處理設(shè)施。

3.14揮發(fā)性有機(jī)液體 volatile organic liquid

任何能向大氣釋放VOCs的符合以下任一條件的有機(jī)液體：（1）真實(shí)蒸氣壓大于等于0.3 kPa的單一組分有機(jī)液體；（2）混合物中真實(shí)蒸氣壓大于等于0.3 kPa的組分總質(zhì)量占比大于等于20%的有機(jī)液體。

3.15真實(shí)蒸氣壓 true vapor pressure

有機(jī)液體工作（儲(chǔ)存）溫度下的飽和蒸氣壓（絕對壓力），或者有機(jī)混合物液體氣化率為零時(shí)的蒸氣壓，又稱泡點(diǎn)蒸氣壓，可根據(jù)GB/T 8017測定的雷德蒸氣壓換算得到。

注：在常溫下工作（儲(chǔ)存）的有機(jī)液體，其工作（儲(chǔ)存）溫度按常年的月平均氣溫最大值計(jì)算。

3.16開式循環(huán)冷卻水系統(tǒng) open recirculating cooling water system

循環(huán)冷卻水與大氣直接接觸散熱的循環(huán)冷卻水系統(tǒng)。

3.17現(xiàn)有污染源 existing pollution source

本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日前，已建成投產(chǎn)或環(huán)境影響評價(jià)文件已通過審批的工業(yè)企業(yè)和生產(chǎn)設(shè)施。

3.18新建污染源 new pollution source

本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日起，環(huán)境影響評價(jià)文件通過審批的新建、改建和擴(kuò)建的建設(shè)項(xiàng)目。

4 時(shí)段劃分

4.1 現(xiàn)有污染源自本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日起至2020年3月31日止執(zhí)行第Ⅰ時(shí)段規(guī)定的限值，自2020年4月1日起執(zhí)行第Ⅱ時(shí)段規(guī)定的限值。

4.2 新建污染源自本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日起執(zhí)行第Ⅱ時(shí)段規(guī)定的限值。

4.3 廠區(qū)內(nèi)VOCs無組織監(jiān)控要求自2020年4月1日起執(zhí)行。

4.4 其他未劃分時(shí)段的排放限值和控制要求等，自本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日起執(zhí)行。

5 有組織排放控制要求

5.1 電子工業(yè)生產(chǎn)過程中，設(shè)備或車間排氣筒排放大氣污染物濃度執(zhí)行表1規(guī)定的限值。

5.2 VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置除滿足表1規(guī)定的限值外，還需對排放煙氣中的氮氧化物、二噁英類進(jìn)行控制，達(dá)到表2規(guī)定的限值。

5.3 進(jìn)入VOCs 燃燒（焚燒、氧化）裝置的廢氣需要補(bǔ)充空氣進(jìn)行燃燒、氧化反應(yīng)的，排氣筒中實(shí)測大氣污染物排放濃度，應(yīng)按公式（1）換算為基準(zhǔn)含氧量為3%的大氣污染物基準(zhǔn)排放濃度，并以基準(zhǔn)排放濃度作為達(dá)標(biāo)判定依據(jù)。進(jìn)入VOCs 燃燒（焚燒、氧化）裝置中廢氣含氧量可滿足自身燃燒、氧化反應(yīng)需要，不需另外補(bǔ)充空氣的（燃燒器需要補(bǔ)充空氣助燃的除外），按排氣筒中實(shí)測大氣污染物濃度作為達(dá)標(biāo)判定依據(jù)，但裝置出口煙氣含氧量不得高于裝置進(jìn)口廢氣含氧量。

5.4 非燃燒（焚燒、氧化）類廢氣處理裝置的排放口以實(shí)測濃度作為達(dá)標(biāo)判定依據(jù)。

編輯：李丹